Vishay Siliconix SIZ980BDT-T1-GE3
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- SIZ980BDT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SIZ980BDT-T1-GE3 Datenblatt
- 8-PowerWDFN
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 5537
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| Teilenummer SIZ980BDT-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5 |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerWDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-PowerPair® (6x5) |
| Power-Max 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC, 79nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 790pF, 3655pF @ 15V |
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Bemerkungen
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