Discrete-Semiconductor

Beschreibung：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJ

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GBJ3504TB

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Diodes Incorporated

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GBU6D-E3/51

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BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.8A GBU

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GBU6C-E3/51

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BRIDGE RECT 1PHASE 150V 3.8A GBU

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GBU6B-E3/51

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