NXP USA Inc. 1N4448,113
- 1N4448,113
- NXP USA Inc.
- DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
- Diodes - Rectifiers - Single
- 1N4448,113 Datenblatt
- DO-204AH, DO-35, Axial
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3218
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer 1N4448,113 |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer DO-204AH, DO-35, Axial |
Gerätepaket des Lieferanten ALF2 |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 200mA (DC) |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1 V @ 100 mA |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 25 nA @ 20 V |
Kapazität@Vr,F 4pF @ 0V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100 V |
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle 200°C (Max) |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

BAS16T,115
DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75

PRLL5817,135
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BYD77D,115
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