Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GHB0G
- 1N5407GHB0G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Diodes - Rectifiers - Single
- 1N5407GHB0G Datenblatt
- DO-201AD, Axial
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3311
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Teilenummer 1N5407GHB0G |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
Paket Bulk |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer DO-201AD, Axial |
Gerätepaket des Lieferanten DO-201AD |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1 V @ 3 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 µA @ 800 V |
Kapazität@Vr,F 25pF @ 4V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800 V |
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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