1N5416US

Microsemi Corporation 1N5416US

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  • 1N5416US
  • Microsemi Corporation
  • DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • 1N5416US Datenblatt
  • E-MELF
  • E-MELF
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12105
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  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
1N5416US
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Paket
E-MELF
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
E-MELF
Gerätepaket des Lieferanten
D-5B
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.5V @ 9A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
1µA @ 100V
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
100V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
150ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-65°C ~ 175°C

1N5416US Garantien

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