1N8026-GA

GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA

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  • 1N8026-GA
  • GeneSiC Semiconductor
  • DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • 1N8026-GA Datenblatt
  • TO-257-3
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3888
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
1N8026-GA
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-257-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-257
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
8A (DC)
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.6 V @ 2.5 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
10 µA @ 1200 V
Kapazität@Vr,F
237pF @ 1V, 1MHz
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1200 V
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 250°C

1N8026-GA Garantien

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