GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA
- 1N8031-GA
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
- Diodes - Rectifiers - Single
- 1N8031-GA Datenblatt
- TO-276AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 23175
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Teilenummer 1N8031-GA |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 |
Paket Tube |
Serie - |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-276AA |
Gerätepaket des Lieferanten TO-276 |
Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 1 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 µA @ 650 V |
Kapazität@Vr,F 76pF @ 1V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650 V |
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 250°C |
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