GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA
- 1N8032-GA
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
- Diodes - Rectifiers - Single
- 1N8032-GA Datenblatt
- TO-257-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3009
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| Teilenummer 1N8032-GA |
| Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
| Hersteller GeneSiC Semiconductor |
| Beschreibung DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-257-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-257 |
| Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
| Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 2.5A |
| Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 2.5 A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 µA @ 650 V |
| Kapazität@Vr,F 274pF @ 1V, 1MHz |
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650 V |
| Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
| Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 250°C |
1N8032-GA Garantien



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Bemerkungen
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Founded in 2004, GeneSic Semiconductor Inc. is a manufacturing company specializing in silicon carbide (SiC) semiconductor components, founded by Dr. Ranbir Singh in the United States. GeneSic Semiconductor, as one of the pioneers and...
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