GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA
- 1N8032-GA
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
- Diodes - Rectifiers - Single
- 1N8032-GA Datenblatt
- TO-257-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3009
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer 1N8032-GA |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 |
Paket Tube |
Serie - |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-257-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-257 |
Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 2.5A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 2.5 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 µA @ 650 V |
Kapazität@Vr,F 274pF @ 1V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650 V |
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 250°C |
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Bemerkungen
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