Microsemi Corporation 2003
- 2003
- Microsemi Corporation
- RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 2003 Datenblatt
- 55BT-1
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 1125
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| Teilenummer 2003 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Hersteller Microsemi Corporation |
| Beschreibung RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1 |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 200°C (TJ) |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer 55BT-1 |
| Gerätepaket des Lieferanten 55BT-1 |
| Gewinnen 8.5dB |
| Power-Max 12W |
| Transistortyp NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50V |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V |
| Frequenzübergang 2GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) - |
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Bemerkungen
Microsemi Corporation

Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...
MS2322
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