Microchip Technology 2N3749
- 2N3749
- Microchip Technology
- TRANSISTOR POWER BJT
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 2N3749 Datenblatt
- TO-111-4, Stud
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 24980
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer 2N3749 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Hersteller Microchip Technology |
| Beschreibung TRANSISTOR POWER BJT |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montageart Stud Mount |
| Paket/Koffer TO-111-4, Stud |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-111 |
| Power-Max 2 W |
| Transistortyp NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 5 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 80 V |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 20µA |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 40 @ 1A, 2V |
| Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
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