NTE Electronics, Inc 2N4125
- 2N4125
- NTE Electronics, Inc
- T-PNP SI- GEN PUR AMP
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 2N4125 Datenblatt
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Bag
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6013
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer 2N4125 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller NTE Electronics, Inc |
Beschreibung T-PNP SI- GEN PUR AMP |
Paket Bag |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Gerätepaket des Lieferanten TO-92 |
Power-Max 625 mW |
Transistortyp PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 30 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 50 @ 2mA, 1V |
Frequenzübergang 200MHz |
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Bemerkungen
NTE Electronics, Inc

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In 1979, NTE Electronics was founded in New Jersey, USA. The company's products mainly include integrated...

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