Vishay Siliconix 2N7002-T1-E3
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- 2N7002-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 2N7002-T1-E3 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1404
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| Teilenummer 2N7002-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-236 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 200mW (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 115mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 50 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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