Renesas Electronics America Inc 2SD1137-E
- 2SD1137-E
- Renesas Electronics America Inc
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 2SD1137-E Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2202
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Teilenummer 2SD1137-E |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart - |
Paket/Koffer - |
Gerätepaket des Lieferanten - |
Power-Max - |
Transistortyp - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) - |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic - |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) - |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce - |
Frequenzübergang - |
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