2SD1137-E

Renesas Electronics America Inc 2SD1137-E

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  • 2SD1137-E
  • Renesas Electronics America Inc
  • POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • 2SD1137-E Datenblatt
  • -
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2202
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
2SD1137-E
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Power-Max
-
Transistortyp
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Frequenzübergang
-

2SD1137-E Garantien

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