Renesas Electronics America Inc 2SK3811-ZP-E1-AY
- 2SK3811-ZP-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 40V 110A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 2SK3811-ZP-E1-AY Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4192
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer 2SK3811-ZP-E1-AY |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 110A TO263 |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten TO-263 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 213W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 55A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 17700 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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