Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906(Q)
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- 2SK3906(Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 2SK3906(Q) Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 25326
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| Teilenummer 2SK3906(Q) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A TO3P |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(N) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4250 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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