71V256S10YG

Renesas Electronics America Inc 71V256S10YG

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  • 71V256S10YG
  • Renesas Electronics America Inc
  • IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
  • General Memory
  • 71V256S10YG Datenblatt
  • 28-BSOJ (0.300\", 7.62mm Width)
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2516
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
71V256S10YG
Kategorie
General Memory
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Paket
Tube
Serie
-
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
0°C ~ 70°C (TA)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
28-BSOJ (0.300\", 7.62mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
28-SOJ
Speichergröße
256Kb (32K x 8)
Technologie
SRAM - Asynchronous
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
-
Zugriffszeit
10 ns
Gedächtnis-Format
SRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
10ns
Speicherschnittstelle
Parallel

71V256S10YG Garantien

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