Renesas Electronics America Inc 71V256S10YG
- 71V256S10YG
- Renesas Electronics America Inc
- IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
- General Memory
- 71V256S10YG Datenblatt
- 28-BSOJ (0.300\", 7.62mm Width)
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2516
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer 71V256S10YG |
Kategorie General Memory |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
Paket Tube |
Serie - |
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 28-BSOJ (0.300\", 7.62mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 28-SOJ |
Speichergröße 256Kb (32K x 8) |
Technologie SRAM - Asynchronous |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz - |
Zugriffszeit 10 ns |
Gedächtnis-Format SRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 10ns |
Speicherschnittstelle Parallel |
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