NXP USA Inc. A3G26D055N-2110
- A3G26D055N-2110
- NXP USA Inc.
- RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A3G26D055N-2110 Datenblatt
- 6-LDFN Exposed Pad
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4168
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer A3G26D055N-2110 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22 |
Paket Bulk |
Serie - |
Paket/Koffer 6-LDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 6-PDFN (7x6.5) |
Frequenz 100MHz ~ 2.69GHz |
Gewinnen 13.9dB |
Rauschzahl - |
Leistungsabgabe 8W |
Transistortyp GaN |
Spannungstest 48 V |
Stromtest 40 mA |
Spannungsbewertet 125 V |
Nennstrom (Ampere) - |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

A3G26D055N-1805
RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18

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