NXP USA Inc. A3G26H350W17SR3
- A3G26H350W17SR3
- NXP USA Inc.
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A3G26H350W17SR3 Datenblatt
- NI-780S-4S2S
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2149
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer A3G26H350W17SR3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie - |
| Paket/Koffer NI-780S-4S2S |
| Gerätepaket des Lieferanten NI-780S-4S2S |
| Frequenz 2.496GHz ~ 2.69GHz |
| Gewinnen 13.3dB |
| Rauschzahl - |
| Leistungsabgabe 59W |
| Transistortyp - |
| Spannungstest 48 V |
| Stromtest 250 mA |
| Spannungsbewertet 125 V |
| Nennstrom (Ampere) - |
A3G26H350W17SR3 Garantien



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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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