A3I35D025NR1

NXP USA Inc. A3I35D025NR1

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • A3I35D025NR1
  • NXP USA Inc.
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF
  • A3I35D025NR1 Datenblatt
  • TO-270-17 Variant, Flat Leads
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3611
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
A3I35D025NR1
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Paket
Tube
Serie
-
Paket/Koffer
TO-270-17 Variant, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten
TO-270WB-17
Frequenz
3.2GHz ~ 4GHz
Gewinnen
27.8dB
Rauschzahl
-
Leistungsabgabe
3.4W
Transistortyp
LDMOS
Spannungstest
-
Stromtest
-
Spannungsbewertet
28 V
Nennstrom (Ampere)
-

A3I35D025NR1 Garantien

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NXP USA Inc.
NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States. The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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