ON Semiconductor AFGY100T65SPD
- AFGY100T65SPD
- ON Semiconductor
- IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
- Transistors - IGBTs - Single
- AFGY100T65SPD Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4627
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer AFGY100T65SPD |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR |
Paket Tube |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
Power-Max 660 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 105 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 120 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 100A |
Gate-Gebühr 109 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 36ns/78ns |
Testbedingung 400V, 100A, 5Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 300 A |
Energie wechseln 5.1mJ (on), 2.7mJ (off) |
AFGY100T65SPD Garantien
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Bemerkungen
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