AFGY120T65SPD

ON Semiconductor AFGY120T65SPD

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  • AFGY120T65SPD
  • ON Semiconductor
  • IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
  • Transistors - IGBTs - Single
  • AFGY120T65SPD Datenblatt
  • TO-247-3
  • -
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 6674
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
AFGY120T65SPD
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
Paket
-
Serie
Automotive, AEC-Q101
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Power-Max
714 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
107 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
160 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
650 V
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 120A
Gate-Gebühr
125 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
40ns/80ns
Testbedingung
400V, 120A, 5Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
360 A
Energie wechseln
6.6mJ (on), 3.8mJ (off)

AFGY120T65SPD Garantien

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