Infineon Technologies AIGB15N65H5ATMA1
- AIGB15N65H5ATMA1
- Infineon Technologies
- DISCRETE SWITCHES
- Transistors - IGBTs - Single
- AIGB15N65H5ATMA1 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 20472
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer AIGB15N65H5ATMA1 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung DISCRETE SWITCHES |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO263-3-2 |
Power-Max - |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 151 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ NPT |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic - |
Gate-Gebühr - |
Td (ein/aus) bei 25 °C - |
Testbedingung - |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) - |
Energie wechseln - |
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