Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB282L
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- AOB282L
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- AOB282L Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4969
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| Teilenummer AOB282L |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263 |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-263 (D2Pak) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 272.5W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18.5A (Ta), 105A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7765 pF @ 40 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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