Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOV11S60
- AOV11S60
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- AOV11S60 Datenblatt
- 4-PowerTSFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1062
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer AOV11S60 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie aMOS™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 4-PowerTSFN |
Gerätepaket des Lieferanten 4-DFN (8x8) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 650mA (Ta), 8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 545 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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