Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF11N60
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- AOWF11N60
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- AOWF11N60 Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 17006
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer AOWF11N60 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 11A TO262F |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-262F |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 27.8W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1990 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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