Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF12N65
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- AOWF12N65
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- AOWF12N65 Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 867
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| Teilenummer AOWF12N65 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 650V 12A TO262F |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-262F |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 28W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2150 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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