Microsemi Corporation APT17N80BC3G
- APT17N80BC3G
- Microsemi Corporation
- MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- APT17N80BC3G Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3487
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| Teilenummer APT17N80BC3G |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Microsemi Corporation |
| Beschreibung MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 |
| Paket Tube |
| Serie CoolMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-247-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.9V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2250 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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