Microsemi Corporation APT75GN60B2DQ3G
- APT75GN60B2DQ3G
- Microsemi Corporation
- IGBT 600V 155A 536W TO264
- Transistors - IGBTs - Single
- APT75GN60B2DQ3G Datenblatt
- TO-264-3, TO-264AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4637
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer APT75GN60B2DQ3G |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller Microsemi Corporation |
| Beschreibung IGBT 600V 155A 536W TO264 |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-264-3, TO-264AA |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Power-Max 536 W |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 155 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
| IGBT-Typ - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A |
| Gate-Gebühr 485 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C 47ns/385ns |
| Testbedingung 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 225 A |
| Energie wechseln 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
APT75GN60B2DQ3G Garantien



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Bemerkungen
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