APT75GN60B2DQ3G

Microsemi Corporation APT75GN60B2DQ3G

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  • APT75GN60B2DQ3G
  • Microsemi Corporation
  • IGBT 600V 155A 536W TO264
  • Transistors - IGBTs - Single
  • APT75GN60B2DQ3G Datenblatt
  • TO-264-3, TO-264AA
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4637
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
APT75GN60B2DQ3G
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 155A 536W TO264
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
-
Power-Max
536 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
155 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
600 V
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 75A
Gate-Gebühr
485 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
47ns/385ns
Testbedingung
400V, 75A, 1Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
225 A
Energie wechseln
2500µJ (on), 2140µJ (off)

APT75GN60B2DQ3G Garantien

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