APTGT30DA170T1G

Microsemi Corporation APTGT30DA170T1G

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  • APTGT30DA170T1G
  • Microsemi Corporation
  • IGBT MODULE 1700V 45A 210W SP1
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • APTGT30DA170T1G Datenblatt
  • SP1
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 28188
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
APTGT30DA170T1G
Kategorie
Transistors - IGBTs - Modules
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MODULE 1700V 45A 210W SP1
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
SP1
Gerätepaket des Lieferanten
SP1
Power-Max
210 W
Konfiguration
Single
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
45 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
1700 V
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
250 µA
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
2.5 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermostat
Yes

APTGT30DA170T1G Garantien

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