Microsemi Corporation APTGT50A120D1G
- APTGT50A120D1G
- Microsemi Corporation
- IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1
- Transistors - IGBTs - Modules
- APTGT50A120D1G Datenblatt
- D1
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3052
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| Teilenummer APTGT50A120D1G |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
| Hersteller Microsemi Corporation |
| Beschreibung IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1 |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer D1 |
| Gerätepaket des Lieferanten D1 |
| Power-Max 270 W |
| Konfiguration Half Bridge |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 75 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 5 mA |
| IGBT-Typ Trench Field Stop |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.6 nF @ 25 V |
| Eingang Standard |
| NTC-Thermostat No |
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Bemerkungen
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Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...
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