Microsemi Corporation APTGT75A170D1G
- APTGT75A170D1G
- Microsemi Corporation
- IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
- Transistors - IGBTs - Modules
- APTGT75A170D1G Datenblatt
- D1
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 22383
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer APTGT75A170D1G |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Microsemi Corporation |
Beschreibung IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1 |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer D1 |
Gerätepaket des Lieferanten D1 |
Power-Max 520 W |
Konfiguration Half Bridge |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 120 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1700 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 5 mA |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat No |
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Bemerkungen
Microsemi Corporation

Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...

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