Microsemi Corporation APTGT75DH120TG
- APTGT75DH120TG
- Microsemi Corporation
- IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4
- Transistors - IGBTs - Modules
- APTGT75DH120TG Datenblatt
- SP4
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 7755
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| Teilenummer APTGT75DH120TG |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
| Hersteller Microsemi Corporation |
| Beschreibung IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4 |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer SP4 |
| Gerätepaket des Lieferanten SP4 |
| Power-Max 357 W |
| Konfiguration Asymmetrical Bridge |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 110 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 250 µA |
| IGBT-Typ Trench Field Stop |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.34 nF @ 25 V |
| Eingang Standard |
| NTC-Thermostat Yes |
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Bemerkungen
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