APTM100VDA35T3G

Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G

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  • APTM100VDA35T3G
  • Microsemi Corporation
  • MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • APTM100VDA35T3G Datenblatt
  • SP3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1393
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number
APTM100VDA35T3G
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer
Microsemi Corporation
Description
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Package
Bulk
Series
POWER MOS 7®
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SP3
Supplier Device Package
SP3
Power - Max
390W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
Package_case
SP3

APTM100VDA35T3G Garantien

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