BAP55L,315

NXP USA Inc. BAP55L,315

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  • BAP55L,315
  • NXP USA Inc.
  • RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2
  • Diodes - RF
  • BAP55L,315 Datenblatt
  • SOD-882
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 5451
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
BAP55L,315
Kategorie
Diodes - RF
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Paket/Koffer
SOD-882
Gerätepaket des Lieferanten
DFN1006-2
Diodentyp
PIN - Single
Spannung – Spitzenumkehr (max.)
50V
Kapazität@Vr,F
0.28pF @ 20V, 1MHz
Strom-Max
100 mA
Verlustleistung (max.)
500 mW
Widerstand@If, F
700mOhm @ 100mA, 100MHz

BAP55L,315 Garantien

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NXP USA Inc.
NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States. The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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