Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F
- BAS516,H3F
- Toshiba Semiconductor and Storage
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
- Diodes - Rectifiers - Single
- BAS516,H3F Datenblatt
- SC-79, SOD-523
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4709
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer BAS516,H3F |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-79, SOD-523 |
Gerätepaket des Lieferanten ESC |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 250mA |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 200 nA @ 80 V |
Kapazität@Vr,F 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100 V |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 3 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle 150°C (Max) |
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