Infineon Technologies BC807-25
- BC807-25
- Infineon Technologies
- BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- BC807-25 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2922
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer BC807-25 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236) |
Power-Max 310 mW |
Transistortyp PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 800 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 45 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V |
Frequenzübergang 100MHz |
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