BDX33DS

Harris Corporation BDX33DS

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  • BDX33DS
  • Harris Corporation
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • BDX33DS Datenblatt
  • -
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1678
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer
BDX33DS
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
Harris Corporation
Beschreibung
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Power-Max
-
Transistortyp
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Frequenzübergang
-

BDX33DS Garantien

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