Infineon Technologies BFP520FE6327
- BFP520FE6327
- Infineon Technologies
- LOW-NOISE SI TRANSISTOR
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- BFP520FE6327 Datenblatt
- 4-SMD, Flat Leads
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4975
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer BFP520FE6327 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung LOW-NOISE SI TRANSISTOR |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 4-SMD, Flat Leads |
| Gerätepaket des Lieferanten 4-TSFP |
| Gewinnen 22.5dB |
| Power-Max 100mW |
| Transistortyp NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 3.5V |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 70 @ 20mA, 2V |
| Frequenzübergang 45GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.95dB @ 1.8GHz |
BFP520FE6327 Garantien



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Bemerkungen
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