Infineon Technologies BFR 183 E6327
- BFR 183 E6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- BFR 183 E6327 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26213
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Teilenummer BFR 183 E6327 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 |
Paket TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-SOT23-3 |
Gewinnen 17.5dB |
Power-Max 450mW |
Transistortyp NPN |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 65mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 12V |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V |
Frequenzübergang 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
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