BFR 183 E6327

Infineon Technologies BFR 183 E6327

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  • BFR 183 E6327
  • Infineon Technologies
  • TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • BFR 183 E6327 Datenblatt
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 26213
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BFR 183 E6327
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
Paket
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
PG-SOT23-3
Gewinnen
17.5dB
Power-Max
450mW
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
65mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
12V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Frequenzübergang
8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

BFR 183 E6327 Garantien

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