BFR193WE6327

Infineon Technologies BFR193WE6327

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  • BFR193WE6327
  • Infineon Technologies
  • HIGH LINEARITY TRANSISTOR
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • BFR193WE6327 Datenblatt
  • SC-70, SOT-323
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 7073
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BFR193WE6327
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
HIGH LINEARITY TRANSISTOR
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-323
Gewinnen
10.5dB ~ 16dB
Power-Max
580mW
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
80mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
12V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Frequenzübergang
8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

BFR193WE6327 Garantien

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