NXP USA Inc. BLF10M6LS200U112
- BLF10M6LS200U112
- NXP USA Inc.
- POWER LDMOS TRANSISTOR
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- BLF10M6LS200U112 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 909
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| Teilenummer BLF10M6LS200U112 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung POWER LDMOS TRANSISTOR |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Power-Max - |
| Transistortyp - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) - |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic - |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) - |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce - |
| Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

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The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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