Rohm Semiconductor BR25G512FVT-3GE2
- BR25G512FVT-3GE2
- Rohm Semiconductor
- IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
- General Memory
- BR25G512FVT-3GE2 Datenblatt
- 8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width)
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6147
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Teilenummer BR25G512FVT-3GE2 |
Kategorie General Memory |
Hersteller Rohm Semiconductor |
Beschreibung IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP |
Paket Tube |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-TSSOP-B |
Speichergröße 512Kb (64K x 8) |
Technologie EEPROM |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz 10 MHz |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format EEPROM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 5ms |
Speicherschnittstelle SPI |
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Bemerkungen
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