Infineon Technologies BSC050NE2LS
- BSC050NE2LS
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BSC050NE2LS Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- 8-PowerTDFN
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1443
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Teilenummer BSC050NE2LS |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 |
Paket 8-PowerTDFN |
Serie OptiMOS? |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TDSON-8 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 39A (Ta), 58A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 760pF @ 12V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4.5V, 10V |
Vgs (Max) 20V |
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