Infineon Technologies BSC0906NSE8189ATMA1
- BSC0906NSE8189ATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V TDSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BSC0906NSE8189ATMA1 Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 21223
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Teilenummer BSC0906NSE8189ATMA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V TDSON |
Paket Bulk |
Serie OptiMOS™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TDSON-8-34 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Ta), 63A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1200 pF @ 15 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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