Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1
- BSM100GB120DN2KHOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MOD 1200V 145A 700W
- Transistors - IGBTs - Modules
- BSM100GB120DN2KHOSA1 Datenblatt
- Module
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3677
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Teilenummer BSM100GB120DN2KHOSA1 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung IGBT MOD 1200V 145A 700W |
Paket Tray |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Module |
Gerätepaket des Lieferanten Module |
Power-Max 700 W |
Konfiguration Half Bridge |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 145 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 2 mA |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat No |
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