Infineon Technologies BSP295H6327XTSA1
- BSP295H6327XTSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BSP295H6327XTSA1 Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1818
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer BSP295H6327XTSA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie SIPMOS® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
Gerätepaket des Lieferanten PG-SOT223-4 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.8A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 1.8V @ 400µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 368 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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