Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2
- BTS282ZE3180AATMA2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BTS282ZE3180AATMA2 Datenblatt
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 22865
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer BTS282ZE3180AATMA2 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 |
Paket -Reel® |
Serie TEMPFET® |
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO263-7-1 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 300W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion Temperature Sensing Diode |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 49 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 240µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4800 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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