NXP USA Inc. BUK961R5-30E,118
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- BUK961R5-30E,118
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BUK961R5-30E,118 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 1147
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| Teilenummer BUK961R5-30E,118 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten D2PAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 324W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 93.4 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 14500 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.
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