NXP USA Inc. BUK9E6R1-100E,127
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- BUK9E6R1-100E,127
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BUK9E6R1-100E,127 Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4843
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer BUK9E6R1-100E,127 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK |
| Paket Tube |
| Serie TrenchMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gerätepaket des Lieferanten I2PAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 349W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 17460 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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