Central Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CT
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- CP802-CWDM3011P-CT
- Central Semiconductor Corp
- MOSFET P-CH 30V 11A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- CP802-CWDM3011P-CT Datenblatt
- Die
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 12140
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| Teilenummer CP802-CWDM3011P-CT |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Central Semiconductor Corp |
| Beschreibung MOSFET P-CH 30V 11A DIE |
| Paket Tray |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3100 pF @ 8 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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